- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 41/49 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire comprenant différents types de transistors périphériques
Détention brevets de la classe H10B 41/49
Brevets de cette classe: 13
Historique des publications depuis 10 ans
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
3
|
4
|
4
|
2
|
2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
---|---|---|
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
6 |
Schottky Lsi, Inc. | 19 |
3 |
Cypress Semiconductor Corporation | 1642 |
2 |
Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1 |
Winbond Electronics Corp. | 1173 |
1 |
Autres propriétaires | 0 |